韩国研究团队成功利用尺寸小于1 nm（纳米）的一维金属材料制造超精细晶体管。这一突破性的成果不仅代表了下一代半导体技术的重大突破，而且代表了基础材料科学的重大突破。

　　韩国基础科学研究所（IBS）范德华量子固体中心主任JO Moon-Ho领导的研究团队实现了宽度小于1的一维金属材料的外延生长纳米。应用这项技术，研究小组开发了一种二维半导体逻辑电路的新结构。值得注意的是，这种一维金属被用作超小型晶体管的栅电极。

　　在传统的半导体制造工艺中，由于光刻分辨率的限制，一直无法将栅极长度减小到几纳米以下。然而，研究小组关注的事实是，二硫化钼（MoS2 ）的镜面孪生边界（MTB）是一种宽度仅为0.4 nm的一维金属。通过使用它作为栅电极，他们能够突破光刻工艺的限制。

　　这种一维MTB金属相是通过在原子水平上控制现有二维半导体的晶体结构并将其转换为一维MTB来实现的。与 FinFET 和 GAA 等技术相比，基于 1D MTB 的晶体管还具有独特的优势。 研究人员表示，新型晶体管的“简单结构和极窄的栅极宽度最大限度地减少了寄生电容”，从而提高了稳定性。

　　电气和电子工程师协会（IEEE）国际半导体技术路线年左右，半导体节点技术将达到约0.5纳米，晶体管栅极长度将达到12纳米。然而，研究团队开发的一维MTB栅极调制的沟道宽度可以减小到仅为3.9 nm。这可以说是一项远远超出常规未来预测的成就。

　　JO Moon-Ho 评论如下： “通过外延生长实现的一维金属相是一种可应用于超尺度半导体工艺的新材料工艺，未来将成为开发各种低功耗、高性能电子器件的重要技术。这是预料之中的。”

　　这项创新技术不仅为半导体行业开启了新的可能性，而且有可能显着提高下一代电子产品的性能。预计未来研究和开发将取得进展。

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