最近一段时间，很多朋友都在关注英特尔和AMD的新一代处理器，不过，还有一部分朋友在关注英伟达的RTX 50和AMD的RX 8000系列显卡。

　　提起下一代显卡，除了英伟达和AMD的GPU的架构设计和制程提升之外，还有一个非常重要的看点，那就是GDDR7显存，它的速度可以达到32Gbps，非常诱人。

　　据小编了解到的情况，英伟达的RTX 50系列显卡大概率会采用GDDR7显存，而MD的RX 8000系列显卡是否会采用目前未知。

　　不过，本文要分享的主题并不是GDDR7显存，而是最新的内存制造工艺，8月29日，海力士公司宣布：该公司已经开发出基于第六代10纳米（1c）工艺的16GB DDR5内存，请参阅下图。

　　海力士这些年一直在不断的拓展10纳米工艺的极限，之前还推出过第五代10纳米（1b）节点工艺，第六代10纳米（1c）节点工艺是在前者基础上经过升级迭代而来的。

　　海力士表示，新工艺在极紫外 （EUV） 的部分工艺中采用了新材料，同时优化了整个EUV应用工艺，此举可以降低成本，除此之外，通过结合其它技术创新，将生产率提高了30%以上。

　　据悉，采用海力士10纳米（1c）工艺制造的DDR5内存并不会首先被应用于消费级，而用于高性能数据中心等领域，其运行速度比上一代提高了11%，达到 8Gbps，能效提高了9%以上。

　　有些朋友可能对内存（或者处理器、硬盘等设备）降低功耗“感知不强”，认为是噱头，高一点也不会高多少，少一点也不会少多少。

　　对消费级个人计算机来说，确实如此，但是，全球所有的计算机加在一起，如果节省的功耗也加在一起，那就不是一个小数字了，尤其是像数据中心这样的应用场景，内存（或者处理器、硬盘等设备）哪怕功耗只降低一点，意义也非常巨大。

　　该公司的第六代10纳米（1c）工艺可显著降低功耗，海力士预计，如果全部采用由该工艺所制造的内存，数据中心的电力成本可降低多达30%。米乐中国 m6平台官网

　　海力士表示，第六代10纳米（1c）工艺将于年内用于量产1c DDR5，预计明年可以开始批量出货。

　　另外，需要强调指出的是，海力士第六代10纳米（1c）工艺不仅可以用来制造DDR5内存，同样适用于LDDR6和GDDR7等。

　　“我们将致力于同时具备最佳性能和成本优势的1c工艺应用于制造下一代产品，包括HBM、LPDDR6和GDDR7，为客户提供差异化价值。我们将继续努力保持在DRAM领域的领先地位，成为最值得信赖的AI内存解决方案提供商。”

　　总体来说，海力士第六代10纳米（1c）工艺最终用于制造GDDR7显存（和HBM、LPDDR6等）只是时间问题，因此对于下一代GDDR7显存和搭载该显存的显卡的性能，未来可期。

　　补充说明：图二和图三来自海力士官网，图三为样品图片，目前海力士未提供更多样品和资料展示图片。

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