半导体先进制程赛道越来越窄，如何在竞赛中维持领先，除了先进设备外，尖端化学品和新材料将成为重要助力。 《日经亚洲》报导，供应链指出，台积电、英特尔将当前生产技术推向极限，随着2纳米临近，以及内存层数不断推进至新高度，尖端新材料和品质稳定的先进化学品，将成为半导体厂商的竞争关键助力。

　　台积电关键化学品供应大厂Entegris技术长欧尼尔表示，「生产良率」是半导体制造商是否具有商业竞争力的关键点。 奥尼尔指出，30年前芯片制程与曝光设备有关，曝光是指将集成电路印刷到芯片上的关键晶片制程、而机器打印这些电路的精细程度，通常决定了芯片的先进程度。

　　因此，在实现先进生产流程，发挥关键作用的中心，将不再是芯片制造设备，材料创新是提高制程性能的主要驱动力。

　　台积电指名的材料大厂德国墨克集团电子业务CEO凯贝克曼也表达同样的观点，现在厂商正从过去20年的晶片制造工具时代，转向下一个十年「材料时代」。 他强调，工具设备仍然很重要，但未来是「材料决定了一切」。

　　报导指出，大规模生产2纳米节点的竞赛已经开始。 市场预期，台积电将在2025年进入量产，而三星也积极前进，以3纳米制程导入环绕闸极场效晶体管，延续至2纳米制程，至于英特尔也宣称，明年将量产2纳米。 随着各种开发蓝图曝光，更复杂的芯片也可能即将出现。

　　与此同时，南韩三星、SK海力士，以及美国美光等储存芯片巨头，正利用3D NAND闪存，将存储器层数不断推进至新高度，目标是超过500层的3D NAND芯片。

　　据报导，三星在今年10月宣布，将在2024年推出300层以上3D NAND，目前这3家公司所生产的芯片层数超过230层，由于3D DRAM技术不断发展，层数越多的芯片被认为更先进，因为提供更大的储存容量。

　　贝克曼表示，现在对于处理器和其他逻辑芯片来说，是一个关键时刻，对于DRAM和3D NAND等储存芯片领域也是如此。

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